Wydajność
Zasilany przez chipset Qualcomm Snapdragon 7 Gen 1 zbudowany w procesie 4 nm, Galaxy F55 zapewnia solidną wydajność do codziennych zadań i bardziej wymagających aplikacji. Ośmiordzeniowa konfiguracja procesora obejmuje jeden wysokowydajny rdzeń Cortex-A710 taktowany zegarem 2,4 GHz, trzy dodatkowe rdzenie Cortex-A710 taktowane zegarem 2,36 GHz oraz cztery wydajne rdzenie Cortex-A510 taktowane zegarem 1,8 GHz. Wraz z procesorem graficznym Adreno 644, telefon z łatwością radzi sobie z intensywnymi graficznie zadaniami i wielozadaniowością. Opcje pamięci RAM wynoszą od 8 GB do 12 GB, umożliwiając płynną i wydajną wielozadaniowość, podczas gdy opcje pamięci wewnętrznej 128 GB i 256 GB oferują dużo miejsca na aplikacje i multimedia.